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標準グレード

バインダーを使用しない独自成形技術によりカーボンなどの不純物が少ない、高純度でかつ高密度なターゲットをご提供いたします。そのためノジュールの発生が少なく放電安定性に優れています。液晶製品のみならず不純物を嫌う製品にもご利用いただけます。
特徴
・密度:>7.1g/cm3
・純度:>99.99%以上

組成、形状
・SnO2含有量は3~10%の範囲でご要望に応じ製造いたします。
・平板、円形、円筒形状、高効率形状など、様々な形状に対応いたします。

用途
・液晶ディスプレー    
・タッチパネル   
・太陽電池

高透過率 SREグレード

ITOとほぼ同等の低効率や耐久性を持ちながら、近赤外まで広い波長領域の光を透過できる膜が得られます。太陽電池用途に最適なターゲットです。

特徴
・赤外光高透過率

用途
・太陽電池   
・レーザ、LED、Vcsel

注:母材はIn2O3で、当社独自の添加物を採用しています。
SREグレード特性比較表


抵抗率
(μΩcm)
移動度
(cm2/Vs)
キャリア密度
(-/cm3)
SRE
206
95
3.2E20
ITO
(SnO2:3wt.%)
275
36
6.6E20
ITO
(SnO2:5wt.%)
240
28
9.8E20
ITO
(SnO2:10wt.%)
225
21
1.4E21
成膜条件:R.T成膜+熱処理(200℃) 膜厚:150nm

低温低抵抗 USRグレード

ITOとほぼ同等の低抵抗や耐久性を持ちながら、ITOよりも低いアニール温度で結晶化する膜が得られるターゲットをご提供いたします。熱に弱い有機薄膜等と積層した後のアニールに効果を発揮します。

特徴
・低温(100℃)後加熱で結晶化し低抵抗化
・150℃では10分にて結晶化 
・大気中の熱処理が可能

用途
・フレキシブル基板   
・有機層へ成膜
注:母材はIn2O3で、当社独自の添加物を採用しています。
USRグレード特性比較表


アニール条件
シート抵抗
(Ω/□)
抵抗率
(μΩcm)
移動度
(cm2/Vs)
キャリア
密度
(-/cm3)
USR
100℃
77
231
48.2
5.6E20
150℃
64
197
51
6.04E20
ITO
(SnO2:3wt%)
100℃
-
-
-
-
150℃
108
331
37.1
5.7E20
-:結晶化せず

高抵抗(HR)グレード

ITOと同等の膜厚でITOよりも高低効率を示す膜が得られます。抵抗膜方式のタッチパネルなど、高低効率、高透過率が必要な用途に最適です。

特徴
・膜厚:HR1:  15nm(500Ω/□)
      HR2:  10nm(500Ω/□)

用途
・高い信頼性が要求されるタッチパネル(車載純正など)

注:母材はIn2O3で、当社独自の添加物を採用しています。
ITO-HRグレード特性比較表


シート抵抗
300(Ω/□)
500(Ω/□)
ITO-HR1
18nm
15nm
ITO-HR2
12nm
10nm
ITO
8nm
-
成膜条件:200℃加熱成膜 膜厚:150nm
-:成膜不可

微細組織(MS)グレード

独自の成形、焼成技術により、微細組織のITOターゲットを提供しています。組織が微細なため、ターゲットの強度が高く放電安定性に優れる特徴があります。

特徴
・高密度、小粒径
・強度:>260MPa

用途
・円筒ターゲットなど強度が要求されるターゲット
標準グレード
MSグレード
MSグレード比較表


平均粒径(μm)
相対密度(%)
曲げ強度(Mpa)
MSグレード
1~3
99.9
260
標準グレード
4~5
99.9
219
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